Physique

Nombre total de résultats : 278
Pertinence Titre A-Z Plus récents Plus anciens
10 25 50
Année de publication
et

Characterization of the Polylactic acid stretched uniaxial and annealed by Raman spectrometry and Differential scanning calorimetry

A. Bouamer, N. Benrekaa, A.Younes, H. Amar  (2019)
Publication

In this work, we have been interested in the characterization of the effect of heat treatment and mechanical treatment on the crystallinity of polylactic acid (PLA) film by two techniques, DSC and Raman spectroscopy. The results obtained by the DSC for the stretched film shows the appearance of a broad peak of crystallization around 120 °C, a rise in melting peak in a significant way, which shows that the uniaxial stretching has increased the crystallinity of the PLA, whereas for the annealed film appearance of a double melting peak. The result obtained by Raman spectroscopy shows new peaks appears at 922 cm−1 and 540 cm-1 after stretching and annealed process, indicating the crystallization process. Voir les détails

Mots clés : PLA, glass transition, Raman spectroscopy, DSC

Etude du comportement particulier de la manifestation anelastique dans les polymères amorphes par analyse des courants thermostimules et l'analyse enthalpique différentielle

BOUAMER Amirouche (2012)
Mémoire de magister

Le but de ce travail est d’étudier les différentes manifestations dues à l’élévation du paramètre température dans le Poly -Lactique–Acide (PLLA) par deux techniques bien distinctes. La première est l’analyse enthalpique différentielle (DSC).et la deuxième la technique des courant thermostimulés(TSC),L’exceptionnel pouvoir de résolution de cette technique a permis d’isoler expérimentalement les transitions sur un large domaine thermique et d’étudier l’évolution de la structure conformationnelle définie par le paramètre d’ordre. La vieillissement physique et le recuit caoutchoutique ont été réalisés dans ce travail sur des échantillons du PLLA. Les manipulations de thermocourants stimulés qui font plus précisément l’objet de ce travail nous ont permis de suivre l’évolution du paramètre d’ordre (au cours de la variation contrôlée de la structure conformationnelle induite par un traitement thermique. Voir les détails

Mots clés : Polymères amorphes, Conduction thermostimulée, analyse, Calorimétrie différentielle à balayage ; Acide polylactique, Propriétés thermiques, Transition vitreuse

Analyse de la neutralisation du dopant dans le silicium parl’hydrogène pour une corrélation avec la tension en circuit ouvertmesurée sur des cellules photovoltaïques.

BELFENACHE Djamel Eddine (2019)
Thèse de doctorat

La motivation des recherches entreprises dans cette thèse vise à renforcer les potentialités qu’offrent les films de polysilicium (poly-Si) en couches minces pour des applications photovoltaïques. Pour ce faire, il était d’une importance primordiale de passiver avec l’hydrogène les défauts inter – et intra – grains du poly-Si. Cependant, l’amélioration des propriétés électriques de ces films est accompagnée par une neutralisation des atomes dopants suite à la formation des complexes dopant-hydrogène. En outre, la concentration active du dopant est un paramètre crucial qui peut affecter les propriétés électroniques des dispositifs conçus à base de silicium. Ainsi, l’objectif principal de notre travail est d’analyser la neutralisation du dopant dans le monosilicium par l’hydrogène pour une éventuelle corrélation avec la passivation des défauts dans le poly-Si. En conséquence, des films de silicium monocristallin obtenus par la technique de fusion de zone et dopé uniformément au phosphore ou au bore ont été utilisés pour élaborer respectivement des diodes Schottky ou des jonctions n+p. Ces dernières ont été employées pour explorer la neutralisation des dopants par l’hydrogène en revanche le suivi de l’évolution de la tension en circuit-ouvert mesurée sur des cellules photovoltaïques n+pp+ à base du silicium polycristallin a été dédiée pour l’examen de la passivation des défauts inter – et intra – grains. Par ailleurs, les traitements d’hydrogénation ont été réalisés dans un réacteur Roth & Rau de PECVD du laboratoire ICUBE (ex. INESS) de Strasbourg (France) qui permet de créer des plasmas à décharge micro-onde assistée par la résonance cyclotronique électronique. L’analyse des résultats obtenus montrent que l’introduction de l’hydrogène dans le silicium cause une neutralisation du phosphore et peut même former des molécules de H2. Proche de la surface de silicium, les molécules d’hydrogène forment des platelets et par la suite la diffusion de l’hydrogène en volume s’affaiblit tandis qu’une hydrogénation excessive donne lieu à de nouveau défauts qui dégradent les propriétés électriques en particulier la tension en circuit-ouvert. Egalement, l’hydrogène neutralise le bore dans les jonctions n+p et provoque un gradient de concentration entre la limite de la zone de charge d’espace (ZCE) et la profondeur de la région p. En conséquence, nous avons admis l’existence d’un champ électrique qui encourage une diffusion profonde des atomes d’hydrogène en volume de la région p. A ce stade, un mécanisme de diffusion et de passivation des défauts dans les cellules photovoltaïques n+pp+ en polysilicium a été proposé. Aussi, il a été constaté que la désactivation du dopant s’effectue dans une région électriquement neutre qui agit comme une couche tampons résistive à faible mobilité près de la surface de l’émetteur n+ et proche de la jonction, ce qui entraîne une réduction du nombre de porteurs de charge recombiné à la surface avant et aux bords de la cellule photovoltaïque. C’est pourquoi, la tension en circuit-ouvert s’améliore au fur et à mesure que la concentration du dopant inactif augmente dans les cellules solaires à base du silicium polycristallin. Voir les détails

Mots clés : passivation, plasma, Cellules photovoltaïques, Hydrogénation

Optimal pump excitation frequency for improvement of damage detection by nonlinear vibro acoustic modulation method in a multiple scattering sample.

N.HOUHAT, V. Tournat, S. MENIGOT, T. Boutkedjirt, J.M. GIRAULT  (2019)
Publication

We present a method to systematically optimize nonlinear damage detection in multiple scattering media by the nonlinear Vibro-Acoustic Modulation (VAM) technique. The latter consists here of exciting a medium simultaneously with a high frequency ultrasonic sinusoidal burst and with a low frequency continuous sinusoidal wave. Modulation of the high frequency (probe) by the low frequency (pump) is made possible by the presence of nonlinear scatterers, i.e. cracks, defects. A signal processing technique consisting of a closed loop system drives the automatic adaptation of the pumping frequency, yielding to the optimization of the nonlinear modulation (NM) of the output probing coda signal without a priori information on the medium and the scatterers. The correlation coefficient between a reference output probe signal without the pumping wave and an output modulated probe signal with a pumping wave was considered as our cost function. A multiple scattering solid beam where nonlinear scatterers can be controllably added or removed is designed and tested. The first step of this study is an empirical search of the correlation coefficient dependency on the pumping frequency to verify the performances of the proposed method. Then the implemented optimization algorithm based on genetic algorithm (GA) is used to find automatically the optimal pumping frequency. The obtained optimization results show a good agreement with the empirical study. Moreover, the genetic algorithm allowed to find the optimal pump frequency adapted to each configuration of nonlinear scatterers. This relatively fast search of the optimal nonlinear response could be extended to nonlinear scatterer imaging applications using the information on the resonant modes spatial shapes together with the associated optimal response. Voir les détails

Mots clés : Optimal command, Genetic algorithm, Nonlinear Vibro Acoustic Modulation, Crack detection

Optimal pump excitation frequency for improvement of damage detection by nonlinear vibro acoustic modulation method in a multiple scattering sample

N.HOUHAT, V. Tournat, S. MENIGOT, T. Boutkedjirt, J.M. GIRAULT  (2019)
Publication

We present a method to systematically optimize nonlinear damage detection in multiple scattering media by the nonlinear Vibro-Acoustic Modulation (VAM) technique. The latter consists here of exciting a medium simultaneously with a high frequency ultrasonic sinusoidal burst and with a low frequency continuous sinusoidal wave. Modulation of the high frequency (probe) by the low frequency (pump) is made possible by the presence of nonlinear scatterers, i.e. cracks, defects. A signal processing technique consisting of a closed loop system drives the automatic adaptation of the pumping frequency, yielding to the optimization of the nonlinear modulation (NM) of the output probing coda signal without a priori information on the medium and the scatterers. The correlation coefficient between a reference output probe signal without the pumping wave and an output modulated probe signal with a pumping wave was considered as our cost function. A multiple scattering solid beam where nonlinear scatterers can be controllably added or removed is designed and tested. The first step of this study is an empirical search of the correlation coefficient dependency on the pumping frequency to verify the performances of the proposed method. Then the implemented optimization algorithm based on genetic algorithm (GA) is used to find automatically the optimal pumping frequency. The obtained optimization results show a good agreement with the empirical study. Moreover, the genetic algorithm allowed to find the optimal pump frequency adapted to each configuration of nonlinear scatterers. This relatively fast search of the optimal nonlinear response could be extended to nonlinear scatterer imaging applications using the information on the resonant modes spatial shapes together with the associated optimal response. Voir les détails

Mots clés : Optimal command, Genetic algorithm, Nonlinear- Vibro Acoustic Modulation, Crack detection

LES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES COUCHES MINCES DE ZnO DEPOSEES PAR PULVERISATION CATHODIQUE A BASSE PRESSION.

A. Boughelout, A. Bensouilah, L. CHABANE, N. ZEBBAR, A. HAMMOUDA et M. KECHOUANE.  (2014)
Article de conférence

Les propriétés des couches minces de l’oxyde de zinc (ZnO) (optiques, électriques) déposées par pulvérisation (DC) dépendent fortement des conditions de dépôt comme la composition de phase du gaz, les conditions de plasma et la température de dépôt. Des couches minces de ZnO ont été déposées par pulvérisation (DC) d'une cible métallique de Zinc en utilisant un plasma d’un mélange de gaz (argon, oxygène) avec une pressions totale ne dépasse pas 1 mbar et à une température de 100 ° C. Ces couches sont caractérisées par la transmission optique UV visible, mesures de conductivité électrique, mesures Raman. Les mesures de transmission optique des couches montrent que la transmission optique est très élevée (facteur de transmission) dans la gamme de longueurs d’ondes située entre 400nm et 2500 nm et elle variée en fonction des conditions d’élaboration comme est présenté sur la figure 2a. Les mesures électriques I-V et I-T mettent en évidence l’effet de la pression dans la chambre de dépôt sur la conductivité et l’énergie d’activation des couches élaborées. Voir les détails

Mots clés : pulvérisation réactive, oxyde de zinc, propriétés optiques, caractérisation structurale, conductivité électrique.

ELABORATION AND CHARACTERIZATION OF ZnO THIN FILMS DEPOSITED BY DC SPUTTERING AT LOW PRESSURE AND LOW TEMPERATURE:APPLICATION TO PHOTOVOLTAIC AND GAS SENSOR

A. Boughelout, A. Bensouilah, L. CHABANE, N. ZEBBAR, A. HAMMOUDA et M. KECHOUANE.  (2014)
Article de conférence

DC reactive sputtering was used to deposit Zinc oxide (ZnO) films onto corning glass and crystalline silicon substrates at both room temperature and 100°C with an argon/oxygen mixture at sputtering pressure varying from 10 to 70 Pa. The dependence of films properties including structure, microstructure as well as optical on deposition parameters (deposition temperature and sputtering pressure) are investigated. The ZnO thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), optical transmission, electrical conductivity measurements. All ZnO films exhibit an intensive (002) XRD peak, indicating that the films are highly texturized along the c-axis perpendicular to the substrate surface. It is found that the nature of the annealing atmosphere has a great influence on the ZnO film composition. Furthermore, thermal annealing at 300°C have the effects of narrowing the diffraction peak and shifting the (002) peaks to higher 2θ angles, which indicates that grain growth has occurred. The transmission measurements have shown that all films exhibit high transmittance in the 400–2500 nm range. Post-deposition annealing influences the morphological, optical and electrical properties of ZnO films. A very large increase in electrical conductivity, up to nine orders of magnitude, was observed in as-grown ZnO films upon vacuum-annealing at 300°C for one hour, reaching as high as 10 ?-1.cm-1. Voir les détails

Mots clés : reactive sputtering, transparent conducting zinc oxide, optical properties, structural characterization, electrical conductivity.

L’influence de la pression des gazes dans un plasma de la pulvérisant cathodique DC sur les propriétés des couches minces de ZnO.

A. Boughelout, A. Bensouilah, L. CHABANE, N. ZEBBAR, A. HAMMOUDA et M. KECHOUANE.  (2013)
Article de conférence

Des couches minces de ZnO ont été déposées par pulvérisation (DC) d'une cible métallique de Zinc, en utilisant un plasma d’un mélange de gaz (argon, oxygène) avec des pressions variantes de l’Oxygène et à une température de 100 °C. Ces couches sont caractérisées par la transmission optique UV visible et les mesures de conductivité électrique. Les mesures de transmission optique des couches montrent que la transmission optique est très élevée (facteur de transmission) dans la gamme de longueurs d’ondes située entre 400 nm et 2500 nm et elle variée en fonction de la pression d’oxygène. Les mesures électriques I-V et I-T mettent en évidence l’effet de la pression d’oxygène dans le plasma sur la conductivité et l’énergie d’activation des couches élaborées. Voir les détails

Mots clés : pulvérisation réactive, oxyde de zinc, propriétés optiques, caractérisation structurale, conductivité électrique.

Analytical Modeling of Dual-Junction Tandem Solar Cells Based on an InGaP/GaAs Heterojunction Stacked on a Ge Substrate

F. Bouzid, F. Pezzimenti, L. Dehimi, F.G. Della Corte, M. HADJAB, and A. HADJ LARBI  (2019)
Publication

An analytical model is used to describe the electrical characteristics of a dual?junction tandem solar cell performing with a conversion efficiency of 32.56%under air mass 1.5 global (AM1.5G) spectrum. The tandem structure consistsof a thin heterojunction top cell made of indium gallium phosphide (InGaP) ongallium arsenide (GaAs), mechanically stacked on a relatively thick germa?nium (Ge) substrate, which acts as bottom cell. In order to obtain the bestperformance of such a structure, we simulate for both the upper and lowersub-cell the current density–voltage, power density–voltage, and spectral re?sponse behaviors, taking into account the doping-dependent transportparameters and a wide range of minority carrier surface recombinationvelocities. For the proposed tandem cell, our calculations predict optimalphotovoltaic parameters, namely the short-circuit current density (Jsc), open?circuit voltage (Voc), maximum power density (Pmax), and fill factor (FF) areJsc = 28.25 mA/cm2, Voc = 1.24 V, Pmax = 31.64 mW/cm2, and FF = 89.95%,respectively. The present study could prove useful in supporting the design ofhigh efficiency dual junction structures by investigating the role of differentmaterials and physical parameters. Voir les détails

Mots clés : Analytical modeling, tandem solar cell, Spectral response, conversion efficiency

Mechanism for phosphorus deactivation in silicon-based Schottkydiodes submitted to MW-ECR hydrogen plasma

D.BELFENNACHE, D.MADI, N.BRIHI, M.S.Aida, M.A.SAEED  (2018)
Publication

Current work reveals the deactivation mechanism of phosphorus in silicon-based Schottky diodes. Microwave plasma power(P) was fixed at 650 W to observe the variation in different operational parameters of diodes such as initial phosphorusconcentration, flux and hydrogenation temperature (TMWH) and process time (t). The analysis of variation in concentrationof phosphorus by hydrogenation has been carried out by capacitance–voltage (C–V) measurements to monitor the dopingactivation/deactivation. The results clearly show that the atomic species H+H is dominant in the reactors MW-ECR plasma.Therefore, the rates and depth of neutralization were obtained in the low phosphorus-doped silicon sample. The H becomesH0 and prefers an interaction with another H0 instead of gaining an electron to become a negative ion. The hydrogenationtemperature study indicates that the deactivation rate of phosphorus is achieved in a complex manner. Indeed, as the hydrogenationtemperatureincreases,deactivationof phosphorus also increasestill saturationat 250 °C.Athigher temperature,lowor evenno phosphorus–hydrogen complexexistsdue totheirthermaldissociation. The same behaviorwasconfirmedbylonghydrogenation. Voir les détails

Mots clés : MW-ECR plasma, Hydrogenation, phosphorus deactivation, C–V measurement