Détails du projet

Type : Projet national de recherche
Domaine : Technologies industrielles
Version PDF : (.pdf)
Description :
Les capteurs à semi-conducteurs sont très utilisés dans divers domaines de l’industrie. Avec l’introduction des capteurs micro-usinés (MEMs), ils se miniaturisent et trouvent de nouvelles applications en informatique, en médecine et dans les systèmes embarqués. Le choix des matériaux semi-conducteurs est judicieux car ces derniers peuvent être sensibles à divers grandeurs physiques telles la température, la pression, le rayonnement électromagnétique, certains éléments chimiques, etc. Leur étude et utilisation est un domaine de recherche en constante progression. Dans ce projet, on se fixe de concevoir, de caractériser et d’utiliser les capteurs à semi-conducteurs pour des applications dans l’industrie (capteurs de température, de mouvement, de proximité, etc.). On envisage également de détourner certains capteurs existants de leur utilisation primaire pour d’autres applications utiles pour les besoins de l’industrie ou pour la maintenance du matériel en panne. Comme le capteur n’est qu’un maillon de la chaine d’acquisition, notre étude portera également sur la conception et caractérisation de la chaine instrumentale correspondante. Les capteurs qui seront étudier dans le cadre de se projet sont :1. Les capteurs à effet Hall à base d’antimoniure d’indium (InSb) qui semble un matériau semi-conducteur très intéressant à cause de sa résistivité de 6.10-5 ?m et son coefficient de Hall de 2,4.10-4 m3c-1. Il est utilisé comme détecteur électromagnétique (capteurs de courant, de proximité, de mouvement, de contours magnétiques, etc.).2. Les capteurs à diodes ou transistors pour la détection de la température et du rayonnement. Diodes Infrarouges, au Carbure de Silicium (SiC), transistors CMOS et BiCMOS.