L'effet de l'incorporation de Zn sur les propriétés physiques des couchesminces CdS pour cellules solaires de type (Cd, Zn) S/Cu2SnZnS4

Type : Thèse de doctorat
Auteur(s) :  ZELLAGUI Rahima
Directeurs du mémoire/thèse :  -
Année :  2021
Domaine : Physique
Etablissement :  Université des sciences et de la technologie Mohamed Boudiaf d'Oran
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Mots clés :  couche mince, Bain Chimique(CBD), CdZnS, morphologie, propriétés Optique

Résumé :

Le but de ce travail est la réalisation des couches minces CdS par la technique Bain chimiquepour l’application photovoltaïque (cellule solaire). En effet, le cadmium est un élémenthautement cancérigène qui bien que présent en très faible quantité en tant que couche tamponet pouvant être recyclé en fin de vie des panneaux, Enfin, au niveau industriel, la synthèse dece composé s’effectue par CBD et entraine une rupture du vide sur la chaine de production,ainsi que des coûts occasionnés par le stockage de réactifs dangereux (cadmium, thiourée,ammoniaque) et le traitement des déchets toxiques pour cela on fait l'étude de l'effet del'incorporation de Zn sur les propriétés physiques des couche minces CdS pour cellules solairede type (Cd, Zn) S/ Cu(Sn, Zn)S2.Des couches minces de CdxZn1-xS ont été déposées sur des substrats en verre par uneméthode chimique simple et économique, c'est-à-dire le dépôt chimique en bain (CBD), pourleurs applications potentielles dans le photovoltaïque. Les propriétés structurales,morphologiques, chimiques et optiques des couches minces déposéesont été étudiées pardiffraction des rayons X, microscopie électronique à balayage, UV-VIS et spectrométrieRaman. Les propriétés structurelles ont révélé que les couches minces déposées présentent à lafois des structures cristallines hexagonale et cubique. Les films minces CdxZn1-xS avec unegranulométrie comprise entre 6 et 25 nm et présentent une transmittance de 50 à 80% dans larégion visible. L'énergie de bande interdite optique de la couche mince déposée se situaiententre 2,6 et 3,6 eV, illustrant leur viabilité potentielle pour dispositifs optoélectroniques etphotovoltaïques.