Simulation des propriétés électrique d'une jonction à base de GaN. Application aux détecteurs de rayonnement

Type : Thèse de doctorat
Auteur(s) :  Fayçal BOUZID
Directeurs du mémoire/thèse :  -
Année :  (En préparation)
Domaine : Physique
Etablissement :  Université Mohamed Khider de Biskra
Résumé en PDF :  (résumé en pdf)
Fulltext en PDF :  (.pdf)
Mots clés :  Radiation hardness, Radiation detection, Detector, Traps, GaN

Résumé :

Le GaN est un matériau semiconducteur à large bande interdite dont les très bonnes caractéristiques électriques et thermiques en fond un candidat idéale pour la fabrication de composants dans le domaine de la puissance et des détecteurs de rayonnement. Les travaux menée durant ces dernières années sont en vue de la conception de détecteur de particule, plus résistant aux radiations. Dans la continuité, ce projet traite les propriétés électriques d'une jonction a base de GaN utilisée comme détecteur de rayonnement en vue de suggérer un composant plus résistant que le Si et le GaAs. L'étude de ce projet est la simulation des caractéristiques I-V , C-V et l'efficacité de collection de charge d'une jonction a base de GaN sans et sous radiations par le développement d'un code de calcul. Ensuite, une étape de simulation de tel jonction est prévue sur le logiciel SILVACO en vue de comparer ces résultats avec des résultats expérimentaux existant.