OPTIMISATION DU PROCEDE DE CONTROLE DE COUCHESMINCES DE ZNO DEPOSEES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE RAMAN

Type : Article de conférence
Auteur(s) :  A.Hammouda, A. Canizarès, P. Simon, A. Boughalout, M. Kechouane
Année :  2012
Domaine : Electronique
Conférence: The 3rd International Conference on welding, nondestructive testing and the industry of materials and alloys (ICWNDT-MI'12)
Lieu de la conférence:  Oran, Algeria
Résumé en PDF :  (résumé en pdf)
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Mots clés :  Spectroscopie Raman; Couches minces; Silicium; Oxyde de Zinc

Résumé : 

La caractérisation des matériaux par diffusion Raman de la lumière est particulièrement intéressante. Les couches minces de ZnO par leurs faibles épaisseurs déposées sur du silicium cristallin s’avèrent difficiles à caractériser sans des approches adéquates pour atténuer le signal spectral Raman du silicium cristallin du substrat.Afin d’optimiser les conditions de caractérisation des couches minces de ZnO, différents échantillons de couches minces d’oxyde de Zinc, de différentes épaisseurs, ont été déposées sur substrat de siliciums par pulvérisation réactive à courant continu. Plusieurs tests et configurations du spectromètre sont nécessaires pour obtenir le signal spectral du film. Les résultats obtenus ont montrés l’intérêt d’atténuer l’intensité de la raie de silicium à 520 cm afin d’augmenter le signal Raman du film et d’éviter la saturation de la camera CCD du spectromètre