Chercheur

Teachers Login Form

 

Admin

Pupils Login Form

 



OPTIMISATION DU PROCEDE DE CONTROLE DE COUCHESMINCES DE ZNO DEPOSEES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE RAMAN

Auteurs : A.Hammouda, A. Canizarès, P. Simon, A. Boughalout, M. Kechouane
Année : 2012
Domaine : Electronique
Type : Communication
Conférence: 3ème Conférence Internationale sur le Soudage, le CND et l’Industrie des Matériaux et Alliages (IC-WNDT-MI’12)
Résumé en PDF : (résumé en pdf)
Fulltext en PDF : (.pdf)
Mots clés : Spectroscopie Raman; Couches minces; Silicium; Oxyde de Zinc

Résumé :

La caractérisation des matériaux par diffusion Raman de la lumière est particulièrement intéressante. Les couches minces de ZnO par leurs faibles épaisseurs déposées sur du silicium cristallin s’avèrent difficiles à caractériser sans des approches adéquates pour atténuer le signal spectral Raman du silicium cristallin du substrat.Afin d’optimiser les conditions de caractérisation des couches minces de ZnO, différents échantillons de couches minces d’oxyde de Zinc, de différentes épaisseurs, ont été déposées sur substrat de siliciums par pulvérisation réactive à courant continu. Plusieurs tests et configurations du spectromètre sont nécessaires pour obtenir le signal spectral du film. Les résultats obtenus ont montrés l’intérêt d’atténuer l’intensité de la raie de silicium à 520 cm afin d’augmenter le signal Raman du film et d’éviter la saturation de la camera CCD du spectromètre