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Etudes des propriétés structurales et électriques des couches minces de SnO2 élaborées par CVD

Auteurs : K.SEDDA, N.KESRI
Année : 2015
Domaine : Physique
Type : Communication
Conférence: 1er Congrès National de Physique et Chimie Quantique CPCQ 2015
Résumé en PDF : (résumé en pdf)
Fulltext en PDF : (.pdf)
Mots clés : SnO2, couches minces, CVD, caractérisation

Résumé :

L’oxyde d’étain SnO2 en films minces, est un matériau semi-conducteur polycristallin dont les utilisations sont multiples notamment dans les composants électroniques à semi-conducteurs (transistors, électrodes transparents, dispositifs photovoltaïques, vitrage à isolation thermique, capteurs de gaz, etc...). Dans ce travail, nous utilisons la technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour préparer des couches minces SnO2 sur des substrats en verre et études la structure cristalline et les propriétés électriques. L’analyse structurale des couches minces a été établie par diffraction des rayons X ; la résistivité est déduite a partir de la résistance en surface mesurée par la méthode des quatre pointes. Les films obtenus sont de nature polycristalline et cristallisent dans la structure tetragonale rutile de SnO2 massif avec notamment des grains d’orientations préférentielles (110), (101) et de taille moyenne de 30nm. Nous avons mis en évidence une corrélation entre celle-ci et l’épaisseur des films. Des films d’épaisseur située entre 0,5 µm et 1 µm et de résistivité de l’ordre de 2×10-2 Ωcm a 12×10-1 Ωcm ont été obtenus. D’autre part, nous avons attribue les variations de la résistivité des films élabores, en fonction des paramètres de dépôt, essentiellement aux changements observes de l’épaisseur et de la taille des grains.