ETUDE DES IMPURETES OI ET CS AU BORD DU LINGOT DE SI-MC POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAÏQUES

Type : Article de conférence
Auteur(s) :  Fayssal BOUFELGHA, Y. CHETTATE, S. BELHOUSSE
Année :  2015
Domaine : Sciences des matériaux
Conférence: THE FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLAR ENERGY (INCOSOLE 2015)
Lieu de la conférence:  Bordj Bou Arreridj
Résumé en PDF :  (résumé en pdf)
Fulltext en PDF :  (.pdf)
Mots clés :  Cristallisation, Si-mc, Four HEM, FTIR, [Cs], [Oi].

Résumé : 

Ce travail à l’objectif de la détermination des concentrations de carbone substitutionnel ([Cs]) et d’oxygène interstitiel ([Oi]) dans la région bord du lingot de silicium multicristallin (Si-mc) pour applications photovoltaïques obtenue par la technique de l’échangeur thermique (HEM). Les calcules des [Cs] et [Oi] ont été faite par la méthode de spectroscopie infrarouge à transformation de fourrier (FTIR).Les résultats obtenus pour les [Cs] donnent une augmentation de bas vers le haut du lingot : de 130 ppm à 150 ppm.Les résultats obtenus pour les [Oi] donnent des concentrations constantes au long du bord du lingot avec une concentration auteur de 325 ppm.