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ETUDE DES IMPURETES OI ET CS AU BORD DU LINGOT DE SI-MC POUR APPLICATIONS PHOTOVOLTAÏQUES

Auteurs : Fayssal BOUFELGHA, Y. CHETTATE, S. BELHOUSSE
Année : 2015
Domaine : Sciences des matériaux
Type : Communication
Conférence: THE FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLAR ENERGY (INCOSOLE 2015)
Résumé en PDF : (résumé en pdf)
Fulltext en PDF : (.pdf)
Mots clés : Cristallisation, Si-mc, Four HEM, FTIR, [Cs], [Oi].

Résumé :

Ce travail à l’objectif de la détermination des concentrations de carbone substitutionnel ([Cs]) et d’oxygène interstitiel ([Oi]) dans la région bord du lingot de silicium multicristallin (Si-mc) pour applications photovoltaïques obtenue par la technique de l’échangeur thermique (HEM). Les calcules des [Cs] et [Oi] ont été faite par la méthode de spectroscopie infrarouge à transformation de fourrier (FTIR).Les résultats obtenus pour les [Cs] donnent une augmentation de bas vers le haut du lingot : de 130 ppm à 150 ppm.Les résultats obtenus pour les [Oi] donnent des concentrations constantes au long du bord du lingot avec une concentration auteur de 325 ppm.